| Numéro |
Photoniques
Numéro 87, Juillet-Août 2017
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| Page(s) | 36 - 39 | |
| Section | DOSSIER : MATERIAUX INNOVANTS POUR L’INDUSTRIE DU FUTUR | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/photon/20178736 | |
| Publié en ligne | 23 août 2017 | |
Ingénierie des matériaux semi-conducteurs : le cas des structures à barrière pour la photodétection infrarouge
1
Université de Montpellier, IES, UMR 5214, 34000 Montpellier, France
2
CNRS, IES, UMR 5214, 34000 Montpellier, France
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philippe.christol@umontpellier.fr
Les matériaux semiconducteurs III-V de la « famille » des antimoniures (III-Sb), c'est-à-dire les semiconducteurs GaSb, InAs, AlSb et leurs alliages, présentent des raccordements de bande interdite si particuliers qu'ils permettent la conception de structures très originales. C'est le cas des structures à barrière dites XBn qui se sont imposées ces dernières années comme l'un des standards des dessins de photodétecteurs infrarouges haute performance refroidis.
© EDP Sciences, 2017
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