Unités d’auto-assemblage pour applications industrielles
L’institut de recherche belge Imec de Louvain est parvenu dans la salle blanche de son laboratoire de nanotechnologie à mettre au point la première unité d'auto-assemblage dirigé (Directed Self-Assembly, DSA) au monde, compatible avec les unités de production de puces de 300 mm. En coopération avec l'Université du Wisconsin à Madison, États-Unis, AZ Electronic Materials à Stockley Park, Royaume-Uni et Tokyo Electron au Japon, l’unité est passée d’une échelle de production de laboratoire à une échelle de production industrielle, surmontant les difficultés du développement de processus d’auto-assemblage contrôlés pour une utilisation dans des unités de production de masse.
La technologie DSA est une technique de structuration au moyen de laquelle la lithographie optique peut être appliquée au-delà de ses limites actuelles. Des masques basés sur des copolymères séquencés permettent des structures d’une largeur sensiblement inférieure à celle permise par les photomasques. En outre, le DSA peut être utilisé pour la réparation de pannes d'équipement. Cette fonction de correction présente une utilité particulière dans le cadre de la lithographie EUV, qui se heurte fréquemment à des inexactitudes locales concernant les dimensions critiques - Les chercheurs veulent développer la technique de réparation DSA appliquée à la lithographie EUV afin de permettre à celle-ci d’être mise en œuvre au sein d’environnements de production.
Ce projet s'inscrit dans le cadre du Programme de lithographie avancée et est d’ores et déjà à la disposition des entreprises participant aux projets centraux du CMOS. Parmi les principaux partenaires de cette initiative figurent les sociétés californiennes Globalfoundries à Milpitas et Intel à Santa Clara, Micron Technology à Boise, Idaho, les sociétés sud-coréennes Samsung à Séoul et Hynix à lcheon, la société taïwanaise TSMC à Hsinchu, les sociétés japonaises Elpida Memory, Fujitsu et Sony à Tokyo, et Panasonic à Osaka.
Photo : Lignes de polystyrène d’une largeur de 14 nm avec des intervalles de 28 nm après le retrait du PMMA (pré-structure: intervalles de 84 nm à l’aide d’une lithographie par immersion de 193 nm). A droite: Démonstration des propriétés réparatrices d'une fente de 200 nm au sein de la pré-structure.
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