| Numéro |
Photoniques
Numéro 109, Juillet-Août 2021
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| Page(s) | 40 - 43 | |
| Section | Dossier : Avancées sur les lasers | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/photon/202110940 | |
| Publié en ligne | 18 août 2021 | |
Laser infrarouge à base de semi-conducteurs de la filière silicium
1
C2N -Université Paris-Saclay- CNRS, Palaiseau, France
2
CEA, LETI, Université Grenoble Alpes, Grenoble, France
3
CEA, IRIG-DePhy, Université Grenoble Alpes, Grenoble, France
4
CRHEA, Université Côte d’Azur- CNRS, Sophia-Antipolis, France
5
STMicroelectronics, Crolles, France
* e-mail : moustafa.el-kurdi@c2n.upsaclay.fr
Nous présentons les récents développements scientifiques et techniques liés aux sources lasers infrarouges en micro-cavités à base d’alliages germanium-étain (GeSn). Ces alliages sont des matériaux semi-conducteurs de la filière silicium compatibles avec les procédés de fabrication bas coût de l’industrie de la micro-électronique. Un des enjeux est d’obtenir un alignement direct de la structure de bande électronique avec ces éléments de la colonne IV.
© Les auteurs, publié par EDP Sciences, 2021
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