Nouvelle étape pour le projet européen de photonique silicium/CMOS

Une équipe européenne de chercheurs et de partenaires privés a franchi une étape importante dans la fabrication de circuits photoniques en silicium en fonderie CMOS.

En faisant la démonstration d’un modulateur optique en silicium fonctionnant à 40 Gb/s avec un taux d’extinction de 10 dB (la différence de puissance entre les niveaux de données 1 et 0), les membres du projet HELIOS ont atteint l’un de leurs principaux objectifs, essentiel pour construire et optimiser la totalité de la chaîne logistique destinée à la fabrication de dispositifs photoniques en silicium fonctionnels complexes, de la conception au procédé.

En plus du modulateur à 40 Gb/s, le consortium HELIOS construit la chaîne logistique de fabrication à travers plusieurs autres circuits photoniques intégrés complexes qui répondent à différents besoins de l’industrie, notamment un émetteur-récepteur 16 x 10 Gb/s, un système de transmission sans fil photonique QAM à 10 Gb/s, et un module émetteur-récepteur mixte analogique et numérique pour antennes multifonctions.

Conçu et caractérisé par une équipe du groupe de photonique sur silicium de l’Advanced Technology Institute de l’Université anglaise de Surrey, le circuit modulateur a été fabriqué par un procédé compatible CMOS par le Leti, coordinateur du projet. "Ce résultat est une étape majeure sur la route vers les systèmes optiques à large bande passante sur silicium, car il rend les modulateurs de 40 Gb/s viables pour des applications commerciales", selon Graham Reed, professeur de photonique sur silicium à l’Université de Surrey.

La photonique CMOS doit aboutir à des solutions bon marché pour tout un éventail d’applications allant des communications optiques aux interconnexions optiques entre puces électroniques et cartes de circuits imprimés, en passant par le traitement du signal optique, la détection optique et les applications biologiques.